избыточных носителей

См. также в других словарях:

• амбиполярная диффузия избыточных носителей заряда — биполярная диффузия неравновесных носителей заряда; биполярная диффузия; двухполярная диффузия; отрасл. амбиполярная диффузия избыточных носителей заряда Совместное перемещение неравновесных электронов и дырок, обусловленное действием градиентов… …   Политехнический терминологический толковый словарь

• ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… …   Физическая энциклопедия

• биполярная диффузия неравновесных носителей заряда — биполярная диффузия неравновесных носителей заряда; биполярная диффузия; двухполярная диффузия; отрасл. амбиполярная диффузия избыточных носителей заряда Совместное перемещение неравновесных электронов и дырок, обусловленное действием градиентов… …   Политехнический терминологический толковый словарь

• скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые… …   Справочник технического переводчика

• Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — 38. Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника Скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной …   Физическая энциклопедия

• ФОТОМАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — (фотоэлектромагнитный эффект, Кикоина Носкова эффект) возникновение электрич. поля в полупроводнике, помещённом в магн. поле, при освещении его сильно поглощаемым светом. Если на полупроводник падает свет, частота к рого со соответствует собств.… …   Физическая энциклопедия

• Полупроводники —         широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …   Большая советская энциклопедия

• ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ФОТОПРОВОДИМОСТЬ — фоторезистивный эффект, увеличение электропроводности полупроводника под действием электромагн. излучения. Впервые Ф. наблюдалась в Se У. Смитом (США) в 1873. Обычно Ф. обусловлена увеличением концентрации подвижных носителей заряда под действием …   Физическая энциклопедия

• ПИ-МЕЗОНЫ — (p мезоны, пионы), группа из трёх нестабильных бесспиновых элем. ч ц двух заряженных (p+ и p ) и одной нейтральной (p°), относящихся к классу адронов и являющихся среди них наиболее лёгкими. Масса пионов промежуточная между массами протона и эл… …   Физическая энциклопедия